三星电子和台积电都宣布了2nm制程的研发进展，并开始向客户推销。这意味着，两家公司将在2nm制程领域展开竞争。
三星电子的2nm制程名为GAA（Gate-All-Around），采用了新的栅极环绕结构，具有更高的密度和性能。三星电子表示，其2nm制程将于2025年量产，并将用于高端智能手机、服务器芯片等产品。
台积电的2nm制程名为N2，采用了FinFET（鳍式场效应芯片管）结构。台积电表示，其2nm制程将于2024年量产，并将用于高端智能手机、AI芯片等产品。
2nm制程是半导体制造的下一个重要节点。该制程将带来更高的性能、更低的功耗和更高的集成度。2nm制程的量产将为智能手机、服务器、AI等领域带来新的技术突破。在2nm制程的竞争中，三星电子和台积电都具有自己的优势。三星电子在GAA结构方面具有先发优势，而台积电在FinFET结构方面具有成熟的技术积累。两家公司都将在2nm制程领域投入大量资金，以争夺市场份额。
