英特尔、三星和台积电都展示了3D堆叠芯片管。英特尔是三家公司中最早展示CFETS的，它在2020年的IEEE International Electron Devices Meeting会议上就展示了这种器件。CFETS是一种互补场效应芯片管（CMOS），它将nFET和pFET堆叠在一起。
英特尔表示，CFETS可以将芯片管的密度提高一倍以上。这意味着英特尔可以制造更强大的处理器和其他芯片。
三星在2022年的IEEE International Electron Devices Meeting会议上展示了其3D堆叠芯片管技术。三星的技术将nFET和pFET堆叠在一起，并使用一种新的工艺将它们连接起来。
三星表示，其技术可以将芯片管的密度提高一倍以上，同时降低功耗。
台积电在2023年的IEEE International Electron Devices Meeting会议上展示了其3D堆叠芯片管技术。台积电的技术将nFET和pFET堆叠在一起，并使用一种新的工艺将它们连接起来。
台积电表示，其技术可以将芯片管的密度提高一倍以上，同时提高性能。
3D堆叠芯片管是集成电路技术发展的一个重要方向。它可以提高芯片管的密度，从而提高芯片的性能和功效。
