天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授团队在半导体石墨烯领域取得了显着进展，成功制备出高迁移率半导体外延石墨烯，表现出了10倍于硅的性能。
据了解，该项研究采用创新的准平衡退火方法制备的超大单层单晶畴半导体外延石墨烯，具有生长面积大、均匀性高、工艺流程简单、成本低廉等优势，弥补了传统生产工艺的不足。其室温迁移率优于目前所有单层芯片至少一个数量级，基本满足了工业化应用需求。
该项研究成果发布在国际着名学术期刊《自然》上，并被《Nature》杂志评为“研究亮点”。
石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化方式排列而成的二维材料，具有优异的导电性、导热性、机械强度和化学稳定性等特性，在电子、光电、能源等领域具有广泛的应用前景。
