根据媒体报导，天津大学纳米颗粒与纳米系统国际研究中心近日攻克了长期阻碍石墨烯电子学发展的关键技术难题，成功创造了一种新型稳定的半导体石墨烯。据称，其电子迁移率更是硅（Si）的十倍，也代表计算速度更快。
综合天津大学官网消息，天津大学纳米中心马雷教授团队近日在保证石墨烯优良特性的前提下，成功在石墨烯中引入带隙，研究成果论文《碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯》已在1月3日在线发布于国际期刊《自然》。
据介绍，石墨烯是首个被发现可在室温下稳定存在的二维材料（2D材料），未来在微电子学领域有极大的应用前景。不过其独特的狄拉克锥能带结构，导致了“零带隙”的特性，成为石墨烯在半导体领域应用的阻碍。
天津大学团队通过对外延石墨烯生长过程的温度、时间及气体流量进行严格控制，确保了碳原子在碳化硅基板上能形成高度有序的结构，成功地在石墨烯中引入了带隙，创造了一种新型稳定的半导体石墨烯。
据称，这种半导体石墨烯的电子迁移率远超硅材料，表现出了十倍于硅的性能，并且拥有硅材料所不具备的独特性质。不过距离石墨烯半导体完全量产，估计还要10到15年。
