手机内存明年Q1价格涨幅将扩大

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  内存涨势确立,除了AI服务器推升高带宽内存需求之外,PC、智能手机等终端应用相继传出复苏信号,带动不论品牌商或渠道,陆续备货迎接市况回温。据调研机构预估,2024年第一季Mobile DRAM及NAND Flash均价季涨幅将扩大至18%~23%。未来不排除在寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下,进一步垫高涨幅。

手机内存明年Q1价格涨幅将扩大

  消费性产品于2023年销售表现疲软,特别是智能手机上半年销售预估更是低迷,全年度全球出货预估仅逾11亿部,但也成为产业景气谷底,下半年在国产手机品牌包括VIVO、OPPO、小米、华为等新机款带动下,使得市况起死回生,其中,高级折叠款式以及中低端手机分别打开中国境内外市场,推升手机厂商营运开始出现翻扬。

  调研机构表示,观察2024年第一季中国智能手机OEM的生产计划仍稳健,由于内存价格涨势明确,带动买方积极扩大购货需求,以建置安全且相对低价的库存水位。在市场目前竞价抢货的格局下,不排除带动品牌客户恐慌追价,进一步垫高首季内存涨价幅度。

  调研机构进一步强调,过去智能手机市场是最早反映经济下行的消费性产品,买卖双方皆持续对供应链进行库存调节。随着双方库存落底,加上原厂减产效应作用下,促成这一波智能手机内存价格的强劲涨势。

  整体而言,明年第一季内存价格走势在客户端需求持续,以及原厂仍未拉升稼动的情况下,供需缺口加大,Mobile内存涨幅将较其它应用更明显,将成为该季的领涨项目。

  产业人士认为,观察内存市况指标有二,一是国际大厂产能恢复速度,其次是实质需求回升。目前原厂产能快速回升几率仍低,尤其是利基型DRAM及NAND,而实质需求则可留意,如通讯设备耐久材等消费回升状况,才将带动DRAM及NAND需求的提升。

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