星积极发展先进芯片制程技术，先前喊话1.4纳米要抢先台积电在2027年量产，三星代工厂副总裁Jeong Gi-Tae近日受访时透露1.4纳米制程细节，将增加纳米片的数量。
根据外媒报导，Jeong Gi-Tae接受韩媒采访时说，三星即将推出的SF1.4（1.4纳米级）制程技术，将把纳米片的数量从3个增加到4个，这样的作法将显着改善芯片的性能和功耗。
三星去年6月量产了SF3E（3纳米级环栅），引进全新的GAA架构芯片管技术，明年计划迈向SF3的第二代3nm制程技术，2025年则预计推出性能增强型SF3P技术，并大规模量产SF2（2纳米）制程。到了2027年再推出SF1.4制程技术。
报导指出，三星增加每个芯片管的纳米片数量可增强驱动电流，进而提高性能。而且，更多的纳米片代表可以更好地控制电流，有助于减少漏电流、降低功耗，还能提高功率效率。
台积电计划要在2025年进入2纳米制程。三星则想凭借在GAA的丰富经验，增加其在代工市占率的优势。
