三星在获得美国政府对其在中国的工厂的“无限期豁免”之后，决定将其为在中国西安NAND Flash闪存工厂升级到236层堆叠的技术，并准备开始大规模扩产动作。
这项升级将使三星西安工厂能够生产容量更大、性能更强的NAND Flash闪存，并将有助于三星保持其在全球NAND Flash闪存市场的领先地位。
三星西安工厂是三星在全球最大的NAND Flash闪存工厂，目前采用的是176层堆叠的技术。236层堆叠技术将使NAND Flash闪存的容量提升约34%，并将有助于提高NAND Flash闪存的性能和能效。
三星预计，新设备将在2023年底交货，并在2024年于西安工厂陆续引进可生产三星第8代V-NAND的技术，堆叠层数将达到236层。
三星的这一举措表明，该公司仍致力于在NAND Flash闪存领域保持领先地位。在全球NAND Flash闪存市场竞争日趋激烈的背景下，三星的这一举措将有助于该公司巩固其在全球市场的份额。
