韩国芯片企业SK海力士日前推出业界最先进的DRAM内存HBM3。韩国芯片专家表示，这是迄今为止速度最快、容量最大的内存。
SK海力士10月20日宣布，已成功开发第三代DRAM内存HBM3。这款芯片每秒能处理819GB数据，可以在1秒内下载163部全高清电影，与之前的产品HBM2E相比，数据处理的速度提高了78%。
SK海力士表示，HBM3不仅是业界最快的DRAM内存，并且有业界最大容量。这款芯片的推出将有助于巩固该公司在市场的领先地位。
SK海力士是全球第二大存储芯片制造商，其主要客户包括苹果。
DRAM，即动态随机存取存储器，是计算机存储器中最常见的类型，可以在很小的物理空间中保存大量数据。
HBM，即高带宽存储器，是一种CPU/GPU内存芯片（即 “RAM”），就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。基于这种设计，信息交换的时间将会缩短。
芯片专家：HBM是韩国半导体的骄傲
“HBM是我国半导体的骄傲！”韩国芯片工程学会会长、韩国西江大学教授范镇旭10月26日在接受外媒记者采访时这么说。HBM3是迄今为止最快、可以处理数据量最大的储存器。
据范镇旭介绍，HBM3是可以快速读写大量数据的存储器，是第四代HBM半导体。因之前以HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3进行开发，因此这款半导体被称为第四代。
他介绍说，数据的传递和快递或物流运输相似，HBM是一次性大容量运输，且HBM3每秒可以处理819GB数据。
他表示，随着人工智能半导体的发展，图片处理设备（GPU）的使用正在增加，在引领未来产业方面是必不可少的技术。“SK海力士完成了最高速度（819GB/s）和最大容量（24GB）”。
同时，与普通存储器相比，HBM3应用了存储堆积（叠加）这一高难度技术。范镇旭解释说，如果说普通存储器是1层建筑，那么此次推出的HBM3等于12层建筑。
他说，“芯片必须是30微米（厘米的一万分之一）的厚度，这是非常薄的，而且要整齐排列堆放，这是非常困难的技术。此次在HBM技术中实现了最好的性能，虽然其难度很高，但正在发展成为未来经常使用的成套技术。”
他认为，HBM3的开发成功有助于韩国国内技术的发展和确保国际竞争力。他说：“HBM技术被用于人工智能半导体的核心，开发也需要高难度的尖端工程，因此这种技术可以超越HBM，扩大相关技术的发展。”
他还说，虽然HBM技术已经开发出来，但其速度和容量仍呈增加趋势，SK海力士在HBM领域一直保持着领先地位。
此前，韩国三星电子在10月12日宣布开始量产采用极紫外技术的14纳米动态随机存取储存器（DRAM）。
三星在14纳米DRAM上使用了5层EUV，实现了最高位密度，同时将整体晶圆生产效率提高了约20%。与上一代DRAM节点相比，14纳米工艺可降低近20%的功耗。
根据最新的DDR5标准显示，三星的14纳米DRAM将开创过去产品所未有的传输速度，速度高达7.2千兆比特每秒（Gbps），是DDR4的两倍多。
范镇旭表示，DDR5是用于中央处理器的存储器，GDDR和HBM是用于图片处理设备的存储器。与其说存在优劣，不如说是为了体现必要的特性而制作的不同。
他说：“三星批量生产14纳米EUV DDR5 DRAM是了不起的技术。”“我国存储器的市场占有率之所以超过70%，是因为确保了技术优势。”
他认为，在DRAM上，韩国三星和SK海力士将继续保持优势。“我认为，我国通过确保技术优势，可以克服代工部分的缺点。”他说，“在激烈的竞争中，包括台积电在内的中国台湾企业和美光等想要重新占据半导体霸权的美国企业的挑战非同寻常。”
他预测，半导体领域的前景是光明的，并认为全球半导体供应不足的现象可能只是暂时的。今后，半导体市场将爆发性增长，大规模活跃。
“随着数据将世界转型，电子设备的使用也比过去有所增加，再加上自动驾驶汽车问世，将会产生原本没有的需求。比如数据中心、人工智能、汽车半导体领域的年均增长率在30%至40%左右。”他说。
