2024年2月5日消息，据TheElec报道，三星将在即将到来的2024年IEEE国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品，其中包括一款超高速32Gb DDR5内存芯片。
芯片采用三星最新的12nm级工艺制造，可提供高达7200Mbps的传输速度，比目前的DDR4内存快近两倍。此外，芯片还支持双通道模式，可进一步提升内存带宽。
三星表示，这款新芯片将面向服务器、人工智能和高性能计算等领域应用。
