三星于2024年1月8日获得了一项名为“三维半导体存储器件”的专利。该专利涉及一种新的三维半导体存储器件结构，该结构可以提高存储器件的性能和密度。
该专利的创新之处在于，它提出了一种新的外围电路区结构。该结构将输出端子设置在堆叠结构的顶部，从而可以缩短输出线路的长度，提高存储器件的性能。
三星表示，该专利技术可以用于开发各种三维半导体存储器件，包括闪存、DRAM 和 NAND。
