台积电先进封装技术暨服务副总经理何军8月11日在OCP APAC Summit上透露，台积电CoWoS先进封装已进入5.5倍光罩尺寸（约4242平方毫米）的高量产阶段，多项AI客户产品良率超过98%，部分已达99%。预计2029年将推进至14倍光罩尺寸。
何军表示，过去三年台积电CoWoS产能几乎每年倍增，目前已拥有10座先进封装厂。先进封装对公司营收及利润的贡献持续提升。
AI对算力的需求正推动CoWoS、SoIC与3DIC技术快速增长。AI应用从数据中心训练向智能手机、PC、AR/VR、机器人及汽车等终端扩展，带来更多元的需求。何军称，未来AI先进封装将以先进逻辑芯片为核心，整合HBM、Chiplet、SoIC混合键合、主动式桥接芯片、集成式电压调节器、电容及硅光子。中介层的角色将逐步整合计算、供电及光互连功能。
何军特别指出，硅光子将成为下一阶段AI封装整合的重要方向——电子信号适合计算，但光子在高速数据传输的能效方面更具优势。
在3D堆叠方面，台积电SoIC混合键合可提供逾50倍互连密度及约5倍能效。公司自去年起6微米间距混合键合技术已进入高量产，预计2029年导入约4.5微米间距技术，并朝A14对A14等先进芯片堆叠推进。
何军也坦言封装的挑战：不同逻辑芯片、HBM、中介层与基板的热膨胀差异、应力与翘曲问题随整合密度提高而加剧。AI数据中心若要将整体故障率控制在可接受范围，单个封装元件的可靠性甚至须高于车规标准。他强调，验证范围必须从芯片与封装延伸至PCB、表面贴装、散热及整体系统，产业须加速导入系统技术协同优化（STCO）。
