长鑫存储(CXMT)正在安徽合肥测试一条键合DRAM（Bonded DRAM）试验线，试图在不使用极紫外(EUV)光刻设备的情况下，通过晶圆级混合键合技术生产高性能DRAM。韩媒将这一动向描述为“后HBM世代”的潜在竞争方向。
键合DRAM的核心在于重构DRAM的底层架构。传统DRAM将存储阵列与外围控制电路做在同一块晶圆上，两者工艺要求不同，互相牵制。长鑫的方案是将两者拆分到两块独立晶圆上分别制造——存储阵列用DUV多重曝光工艺追求高密度，外围电路用成熟制程，最后通过原子级混合键合将两片晶圆垂直融合。混合键合通过介电层键合和铜-铜直接互连，将连接间距压到10微米以下。键合后导电渠道密度提升3倍，电阻降低65%。
这一技术路径使长鑫得以绕开EUV光刻设备的封锁。三星拥有至少55台EUV光刻机，SK海力士有26台。而长鑫仅靠DUV多重曝光加混合键合，就能生产高密度DRAM。
HBM领域同步推进。 长鑫存储已推出HBM3样件，向华为等国内AI芯片厂商供货，正处于量产前验证阶段。公司计划2027年实现12层HBM3E量产。长鑫将DRAM总产能的约20%投入HBM制造，月产能可达6万片晶圆。行业消息人士透露，长鑫在技术上已具备HBM3量产能力，虽然良率仍是制约因素，但技术层面已不存在代差。
据CFM闪存市场数据，2026年第一季度长鑫存储DRAM销售收入达73.09亿美元，环比增长115.1%，市场份额升至7.7%，排名全球第四。SemiAnalysis预计，长鑫晶圆月产能将从2025年底的约26.5万片增至2026年底的35万片。
中韩HBM技术差距已从五年缩短至约三年。首尔大学电子工程教授崔宇英(音译)指出，如果华为等中国AI芯片厂商优先采用长鑫的HBM产品并积累实际量产经验，良率和稳定性的提升速度可能比预期更快。
