美国存储芯片巨头美光科技于当地时间7月4日在日本广岛县东广岛市举行工厂扩建动工仪式。该项目总投资1.5万亿日元，约合人民币630亿元，用于生产高带宽存储器(HBM)等先进存储芯片，以满足人工智能(AI)需求。
HBM是英伟达AI处理器的核心组件。新产线预计2028年夏季前后开始出货。美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在奠基仪式上表示，全球首片用于AI核心存储技术的HBM生产晶圆，就是在广岛工厂诞生的。
日本经济产业省已为该扩建项目提供最高5000亿日元（约合人民币210亿元）补贴。连同研发支持资金在内，日本政府迄今累计向美光拨付约7750亿日元。日本经济产业大臣赤泽亮正表示，美光是日本境内唯一的DRAM制造商，其战略价值不可估量。
广岛工厂原为日本DRAM制造商尔必达所有，美光于2013年收购后接手运营。目前该厂所需芯片材料约80%来自日本本土供应商。
此次扩建是美光全球产能布局的一部分。该公司正在美国爱达荷州博伊西建设两座先进晶圆厂，并于今年1月启动纽约州锡拉丘兹郊外一处投资约6790亿元人民币的生产基地建设。韩国SK海力士和三星电子也在同步扩充制造产能。
日本自2021年起持续加码半导体与AI产业投入。上月，日本政府发布产业发展路线图，计划到2041年3月前撬动芯片与AI领域公私累计投资101.6万亿日元。
