韩媒《首尔经济日报》报道，中国内存芯片厂商长鑫存储在高频宽内存(HBM)领域已具备HBM3量产能力，技术层面追平三星电子与SK海力士，双方差距由过去多代落后缩短至约三年。良率仍是主要限制因素，但已不存在明显代差。
HBM3为当前AI GPU广泛采用的第三代高频宽内存，英伟达H100及中国特供版H20均搭载该规格。三星电子与SK海力士仍保持领先，最新AI芯片已导入HBM3e规格，并预计年底开始签订HBM4供应合同。HBM4在数据传输能力上较HBM3接近倍增，且AI GPU制造仍依赖台积电先进封装等复杂工艺。
产能方面，长鑫存储计划至2026年底具备月产30万片12英寸晶圆的HBM产能规模。公司已获得上海科创板IPO核准，计划募资人民币295亿元用于技术升级及扩产，最快2026年7月挂牌上市。
业内分析认为，长鑫采取跨代技术路径，从DDR4直接进入HBM3开发，缩短了追赶时间。HBM制程涉及硅通孔(TSV)与3D堆叠技术，量产良率与客户认证仍为主要门槛。中国科技媒体CNMO援引业内人士称，国内HBM研发进展较快，但与韩系及美系厂商在多项制程与量产能力上仍有差距。全球HBM供应紧张，三星与SK海力士产能接近满载，有助于长鑫在供应缺口中加速技术验证与产能布局。
