在近日于巴黎举行的华为IDI Forum 2026活动上，华为展示了基于自研Die-on-Board（板上裸晶封装，简称DoB） 技术的超大容量固态硬盘系列。目前61.44TB和122.88TB两款产品已实现量产，245TB版本正在计划中。
由于三星等原厂的最新一代3D NAND芯片涉及美国技术无法向华为供货，华为转而采用长江存储等本土厂商生产的NAND闪存，并通过封装层面的创新来提升容量密度。DoB技术直接将更多NAND裸晶封装在PCB电路板上，绕开传统TSOP(薄型小尺寸封装)或BGA(球栅阵列封装)对芯片数量的限制。传统封装受限于物理尺寸，最多实现16层裸晶堆叠，而DoB最高可实现36层堆叠，单位空间内容量密度提升33%。
国际存储行业媒体Blocks&Files报道指出，这一设计让华为在不依赖高堆叠层数3D NAND的情况下，实现容量突破。不过，DoB方案也带来散热管理和信号完整性两大行业难题，华为研发团队经过专项攻关，最终实现规模化商用。相比传统封装，DoB还省去若干昂贵封装步骤，更具成本效益。该技术已全面应用于华为企业级内存产品线。
