美光DDR4产能扩增4倍,短期难解全球缺货

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美光宣布在美国维吉尼亚州Manassas工厂导入1α DRAM制程,并将DDR4晶圆供应量提升4倍,主要供应车用、国防、航天、工业、网通及医疗等长生命周期市场。此次为既有厂区现代化升级与产能调整,配合美国《芯片法案》及本土供应链需求,并非新建DDR4晶圆厂。

美光DDR4产能扩增4倍,短期难解全球缺货

法人分析,美光DDR4供应提升4倍主要来自1α节点导入、产品配置调整及产线效率提升,属于纪律性扩产。公司整体策略未变,先进DRAM资源仍聚焦HBM、DDR5及AI高带宽内存,成熟型DDR4与LP4转向特殊应用及区域供应链需求市场。

英伟达CEO黄仁勋在戴尔产品大会上表示,AI产业最大瓶颈之一是内存供给不足,他三年前便开始说服美光扩产。市场解读,AI应用从训练、推理延伸至推理与代理式AI,DRAM及HBM需求将持续攀升。

威刚董事长陈立白指出,全球内存供给仍处偏紧状态。美光此次扩产属于产线升级与配置调整,短期对供需结构影响有限,难以立即改变缺货现状。三大原厂今年产能多数已提前售罄,不少客户开始洽谈2027年甚至更长期供货合同,部分云服务商希望一次签订三至五年长协。他强调,内存市场进入长期向上循环,今明两年价格仍有上行空间,缺货情况可能延续至2028年

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