台积电5.5倍光罩尺寸的CoWoS封装已量产，良率超过98%。在5月14日举行的技术论坛上，台积电业务开发资深处长袁立本披露了先进封装与制程的最新进展。
为支撑高带宽内存(HBM)连接芯片的需求，未来5年内CoWoS将以每年更新的速度推进。2028年将推出14倍光罩尺寸的CoWoS，可整合20个HBM;2029年进一步提升至24个HBM。
制程方面，3纳米将成为2026年营收主力。今年已推出A16、A14及N2U等新制程。A14由A13演进而来，引入SPR背面供电技术，预计2028年量产。更先进的A12计划2029年推出。
2纳米家族中，N2制程已在2025年第四季度量产，N2P将于2026年下半年量产，采用新型UHP元件提升AI与高性能计算的供电表现。N2X和N2U分别定于2027年、2028年量产。目前已有超过25个N2设计定案(NTO)。
系统级晶圆(SoW)技术方面，整合逻辑与HBM的SoW P已在2024年量产，下一代SoW X预计2029年推出。3D堆叠已量产9微米间距技术，2028年推出N2对N2堆叠，2029年间距缩至4.5微米。
光学互连(COUPE)技术上，2026年开始生产200Gbps微环调制器，系统能效提升4倍，延迟降低10倍。2028年前开发400Gbps调制器，频宽密度提升8倍。未来与CPU封装整合后，性能提升10倍、延迟减少20倍。
车用电子领域，N3AE技术已在2025年通过车规验证。N2P提供车用设计套件。新RF技术N4CR可降低35%功耗与面积。12纳米RRAM预计2026年通过车规验证。
