三星2纳米良率卡在60% 高通下一代旗舰芯片或全面转投台积电

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韩媒《釜山日报》4月10日报道,全球移动处理器巨头高通正在重新评估下一代应用处理器的代工策略。由于三星电子2纳米制程良率未达预期,高通可能将订单重心转向台积电,甚至不排除将相关产品线全面交由台积电代工。

三星2纳米良率卡在60% 高通下一代旗舰芯片或全面转投台积电

根据韩国多家媒体报道,三星晶圆代工的2纳米GAA工艺良率目前停留在60%左右。2025年下半年时,该制程的良率仅在20%出头,两个季度内虽实现翻倍增长,但距离高通要求的70%基准线仍存在差距。目前三星2纳米产线的主要客户包括三星系统LSI事业部以及嘉楠科技、比特微等矿机厂商,其中针对嘉楠科技和比特微的良率改善较为显著。但面向智能手机处理器的Exynos 2600芯片,平均良率至今仍低于50%

相比之下,台积电2纳米制程的良率已达60%至70%,具备量产稳定性。台积电已于2025年第四季度启动2纳米量产,苹果公司包揽了近一半的初始产能,高通则紧随其后。代工价格方面,台积电2纳米晶圆报价约为每片3万美元(约合21.6万元人民币),而三星此前为争夺订单,曾喊出每片2万美元(约合14.4万元人民币)的报价,较台积电低了约33%。

高通曾在2021年将部分高端芯片交由三星4纳米代工,但因产品出现过热降频等问题,此后便转向台积电。对于新一代制程的选择,高通显然更加谨慎。科技媒体Wccftech指出,高通第六代骁龙8至尊版系列芯片的标准版和Pro版本目前均采用台积电2纳米N2P工艺,设计方案已定型,台积电已完成流片。三星虽有争夺订单的意愿,但在当前良率水平下,短期内很难改变既定局面。

三星并未放弃追赶。位于美国得克萨斯州泰勒的晶圆厂已从原计划的4纳米工艺升级至2纳米,首批设备将于2026年3月导入,计划二季度启动初始制造,到2027年实现大规模量产。初期月产能目标从原计划的2万片晶圆上调至5万片,预计到2027年将进一步扩至每月10万片

不过,多位业内人士指出,三星良率虽然有所提升,但仍存在不稳定因素。当前2纳米制程良率距离高通要求的70%门槛“看似仅一步之遥,但这10%的差距成为双方合作的关键阻碍”。另有消息显示,高通并未完全排除与三星合作的可能,若三星未来良率改善显著,高通仍可能采取双供应商策略,将特定产品或部分产能交由三星代工。

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