全球晶圆代工龙头台积电正面临来自日韩巨头的强势追赶。日本Rapidus放话，目标在1纳米制程时仅落后台积电半年;韩国三星则计划启用“叉型片（Forksheet）”技术，在相同空间内塞入更多芯片管，力争2030年前完成1纳米制程研发并量产。
三星晶圆代工部门目标在2030年以前完成1纳米制程研发并进入量产。1纳米制程的芯片管密度是2纳米的两倍。三星计划从现行的环绕式栅极(GAA)架构转入叉型片结构，在纳米片之间加入绝缘层以提升芯片管密度，从而改善功耗与性能。三星的2纳米制程进入量产后，已拿到特斯拉AI6芯片的订单。
日本Rapidus技术长石丸一成表示，目标在1纳米制程时将落后台积电的时间缩小至半年左右。Rapidus计划2026年底为客户试产2纳米芯片，2027年量产。衔接2纳米与1纳米的1.4纳米制程，预计2026年完成开发，2029年量产。Rapidus维持现有研发模式，与IBM深度合作，约一半工程师在美国参与研发。
目前台积电仍保持领先优势。2纳米已于2025年底量产，预计2026年快速爬坡，营收贡献有望超越3纳米。A14（1.4纳米）制程预计2027年底试产，2028年下半年量产，并计划在2030年之前完成1纳米研发。
