书生家电网据行业最新调查，受AI与数据中心需求推动，2026年第一季度全球内存市场供需失衡加剧，原厂议价能力显著提升。DRAM合约价涨幅已上调至90%～95%，NAND Flash合约价涨幅亦调高至55%～60%，且后续仍有涨价可能。
细分市场中，PC DRAM因库存持续下降，一季度价格预计季增超100%，创历史新高。服务器DRAM因北美与中国内地云服务及服务器厂商积极签订长约，价格涨幅约90%。移动DRAM同样因供需缺口扩大，LPDDR4X与LPDDR5X合约价季增九成。
NAND闪存方面，订单量远超产能负荷，同时原厂将产线资源转向DRAM，进一步压制供给。企业级固态硬盘(eSSD)需求爆发，推升价格季增53%～58%，亦创单季新高。
此轮涨价主要受AI服务器需求快速扩张驱动，原厂产能集中于HBM与先进制程，导致成熟型DRAM与通用型NAND供给持续收紧。目前合约谈判已形成 “有货优先、供应端主导价格” 的常态。
产业分析指出，过去数年资本支出保守限制了产能回升速度，结构性供应缺口预计将持续至2027年前后。虽已有长鑫存储加速量产及三星重启产线等消息，但其产能释放仍需一至两年，短期难以缓解市场压力。
