韩国媒体《ZDNET》曝出，三星电子正加速美国德州泰勒工厂建设，计划明年一季度量产2纳米芯片，剑指全球首家在美实现该制程量产的半导体巨头。但40%的良率水平，成为其挑战台积电60%良率纪录的最大硬伤。
三星已将泰勒工厂原定的4纳米产线紧急升级为2纳米制程。目前无尘室施工与设备选型同步推进，供应商预计明年初进驻安装。而韩国平泽工厂的1.4纳米生产线计划恐推迟至2028年落地。
尽管三星在3纳米时代率先应用GAA芯片管技术，但2纳米良率仍落后台积电约20个百分点。行业分析指出，若无法在量产前突破良率瓶颈，恐难争取苹果、英伟达等关键客户订单。
三星押注美国本土化生产，试图以地缘优势争夺政策支持。台积电亚利桑那工厂已深耕多年，与美科技企业建立深度绑定。此次2纳米之争不仅是技术对决，更将重塑全球半导体产能格局。
随着AI芯片需求激增，两大巨头竞逐已进入白热化阶段。三星若如期实现泰勒工厂量产，将打破台积电在先进制程领域的垄断地位，但良率这道坎仍是横亘眼前的首要挑战。
