书生家电网讯--根据业内最新消息，全球存储器巨头三星电子计划在2025年下半年大幅增加对10纳米级（1z/1a纳米）DRAM（动态随机存取存储器）的投资。这应对市场对高性能存储芯片日益增长的需求，并进一步巩固其在存储器市场的领先地位。
知情人士透露，此次投资扩大的重点将放在提升10纳米级DRAM的产能和技术研发上。尽管全球半导体产业面临诸多不确定性，但三星此番逆势加码，显示出其对未来存储器市场前景的坚定信心。有分析指出，随着人工智能、5G技术以及高性能计算等领域的快速发展，DRAM作为关键组件，其需求量持续攀升。尤其是10纳米级DRAM，凭借其更高的能效比和更优异的性能，正逐渐成为市场主流。
据悉，三星的生产线正在进行相应的调整和升级，以支持更大规模的10纳米DRAM生产。此次投资的具体金额虽未对外公布，但预计将达到数十亿元人民币级别，主要用于购置先进生产设备、优化生产工艺以及吸纳更多高端研发人才。
市场观察人士认为，三星此次策略性投资不仅将提升其DRAM产品的市场竞争力，也将对全球存储器产业格局产生深远影响。其他主要存储芯片制造商，如SK海力士和美光科技，预计也将密切关注三星的动向，并可能调整各自的投资策略。
此番投资计划也预示着，在即将到来的下半年，存储芯片市场的竞争将愈发激烈，而技术创新和产能优势将成为各方博弈的关键。三星电子方面目前尚未就此消息发布官方声明。
