2025年6月19日，中国科学技术大学国家同步辐射实验室宣布，其团队在氮化镓（GaN）激光芯片领域取得突破性进展，成功研制出高性能氮化镓蓝绿光垂直腔面发射激光器（VCSEL）。
此次研发的氮化镓VCSEL芯片，在输出功率和电光转换效率上均达到了国际先进水平。实验室数据显示，该芯片在室温连续工作状态下，可实现稳定的蓝绿光输出，其单芯片输出功率最高达到XX毫瓦（具体数据待官方公布），电光转换效率超过XX%（具体数据待官方公布）。据项目负责人张教授介绍，通过优化材料生长和器件结构设计，团队有效解决了氮化镓材料在高功率运行时面临的散热和电流注入均匀性等技术难题。
书生家电网据悉，该项技术的突破，得益于我国在第三代半导体材料领域的长期投入。国家同步辐射实验室利用其先进的表征手段，对氮化镓外延材料的芯片质量和缺陷控制进行了深入研究，为器件性能的提升奠定了基础。此次成功研制的高性能氮化镓VCSEL，有望在激光显示、高速光通信、生物医疗传感以及量子计算等多个前沿领域发挥重要作用。
目前，相关研究成果已在国际权威学术期刊上发布。下一步，研发团队将致力于推动氮化镓VCSEL芯片的产业化进程，力争尽快实现批量生产，以满足市场对高性能光电器件日益增长的需求。
