2024年12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”，股票代码为“02577”）正式在香港联合交易所主板挂牌上市。此次英诺赛科发行45,364,000股，发行价为每股30.86港元，募资总额约为14亿港元。扣除相关发行费用后，募资净额约为13亿港元。上市首日，英诺赛科开盘价为31港元，较发行价略有上涨。公司市值约为280亿港元。英诺赛科此次成功上市，标志着其发展历程中的一个重要里程碑，也使其成为港股“第三代半导体”第一股。
英诺赛科是全球领先的氮化镓功率半导体企业，专注于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术的研发和产业化。公司深耕8英寸芯片制造技术多年，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。通过打造硅基氮化镓全产业链平台，填补了行业空白，完善了中国半导体产业链布局。氮化镓作为第三代半导体材料，具有高频、高效、低功耗等优异特性，被广泛应用于电源、通信、消费电子等领域。
英诺赛科此次赴港上市，旨在募集资金用于扩大其8英寸GaN晶圆的产能，并投入于研发和扩展其产品组合。公司计划在未来几年内，将其8英寸GaN晶圆的月产能从目前的12,500片大幅提升至70,000片。英诺赛科董事长表示，此次成功在香港交易所上市，是对公司过往成就的肯定，更是开启新发展阶段的起点。公司将继续致力于技术创新，推动高频、高效、绿色节能的氮化镓产品走向全球市场。此次上市也有助于提升英诺赛科的国际知名度和影响力，进一步巩固其在全球氮化镓行业的领先地位。
