继台积电发布A16技术后，台积电技术论坛中国台湾场次将于23日在新竹盛大登场。半导体业者指出，受惠苹果推出M4搭载AI神经网络芯片，幕后大功臣就是由台积电引入FinFLEX技术的3纳米次世代工艺所打造，预料该秘密武器将在本次会议中，再次吸引外界高度瞩目。
苹果M4芯片是目前台积电3纳米节点制程的代表作，凸显台积电在先进制程上的领先地位；相比台积电3纳米家族之N3B，N3E制程通过简化流程和放宽部分参数，提高良率和产能，是台积电5纳米跨向3纳米的重要一步。
虽然N3E芯片管密度未如N3B大幅提升，但引入FinFLEX技术，达到平衡性能和功耗的要求，同样提供M4芯片出色性能。
业界表示，台积电利用FinFLEX技术让芯片设计人员可在一个模组内混搭不同类型的标准单元，并针对客户需求，最佳化性能、功耗、面积（PPA）配置。
业者强调，这样应用可直接对接当下需要大量核心CPU和GPU的定制化需求；台积电同时也于技术论坛提出下世代NanoFlex技术，将通过调整标准元件高度，设计客户所需要的面积功耗及性能，更被台积电自许为伟大创新，预计将在2纳米市场继续领先。
台积电也透露，2纳米制程技术在解决对节能计算永无止境的需求方面领先业界，几乎所有的AI创新者都正在与台积电合作。
根据台积电公开数据，N3E在SRAM层面大致与5纳米同一水准；不过逻辑电路密度更高，但也低于N3B。据业内人士透露，N3B相较N5的缩放大约是0.88倍左右，而N3E只有0.94倍左右。
未来在3纳米家族，台积电也持续推出N3P、N3X等制程，进一步优化3纳米节点上的性能；另外2纳米台积电也推出继Nanosheet之后的NanoFlex，预估将于技术论坛中被大量提及，同样通过在相同的设计区块中优化高低元件组合，调整设计进而在应用的功耗、性能及面积之间取得最佳平衡。
