7月27日，日本东芝公司发布消息称，已出厂新一代闪存芯片的样品，从现行的48层提高到了64层，容量为256GB。同时表示，明年上半年有望量产，在不久的将来容量也打算增至512GB。
通常我们所说的闪存是采用一种新型内存(换句话说就是一种内存格式的一种)。闪存有许多种类型，从结构上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最为常见的类型。例如iPhone5所采用的东芝24纳米NAND闪存。闪存具有内存可擦可写可编程的优点，还具有写入的数据在断电后不会丢失的优点。所有被广泛应用用于数码相机，MP3，及移动存储设备。
64层的闪存芯片属世界首创。东芝在增至64层时，对电子线路以及制造工艺做了很大程度的优化，与48层的相比，单位面积的容量扩大了1.4倍。东芝表示，将把新产品推广到数据中心、电脑和智能手机上。东芝计划在2017年把新产品的64层闪存芯片的生产比率提升至整体的50%，同时在三重县四日市市新建厂房，增大生产量，计划2018年提升至80%以上。
