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英飞凌推出62mm CoolSiC模组 为碳化硅开辟新应用领域

2020-07-17 21:13:34    来源:书生家电网    浏览次数:    字号:TT

  英飞凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模组系列新添62mm工业标准模组封装产品。62mm封装之产品采用半桥拓扑设计及沟槽式芯片技术,已受到业界的肯定。此封装为碳化硅打开了250kW以上(此为硅基IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。

英飞凌推出62mm CoolSiC模组 为碳化硅开辟新应用领域

  相较于一般的62mm IGBT(绝缘闸双极电芯片)模组,碳化硅的应用范围更扩展至太阳能、服务器、储能、电动车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。

  该62mm模组配备了英飞凌CoolSiC MOSFET ,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和导通损耗可减小散热元件尺寸。在高开关频率下运作时,可使用更小的磁性元件。通过英飞凌CoolSiC芯片技术,客户可以设计出尺寸更小的变频器,从而降低整体系统成本。

  新产品采用62mm标准基板和螺丝固定方式,具有高强固性的外壳结构设计,且设计经过最佳化,可达到最高的系统可用性,同时降低维修成本以及停机损失。出色的温度循环能力和150°C的连续工作温度),带来出色的系统可靠性。其对称性的内部设计,能让上下开关达到相同的切换条件。亦可选配“热接口材料”,以进一步提高模组的热性能。

  采用62mm封装的CoolSiC MOSFET 1200V分别提供6mΩ/250A,3mΩ/357A和2mΩ/500A型号选择。另外还推出有助快速特性化 (双脉冲/连续作业) 的评估板,为便于使用,还提供了可弹性调整的闸极电压和闸极电阻。

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