IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。
从楼主发上来的图片可以看他的结构是四合一封装，每组包含一个OMS管和一个二极管由银《铝》丝连接。多管组合的igbt烧了一般只是烧了一个管，拆开igbt可以看到烧坏的痕迹。把烧毁的银《铝》丝连接和所在的硅片全部挑断。剩下的3个OMS管又可以工作了。从图片可以看出楼主拆了一个没有坏掉的IGBT。
